Céntrese en las tendencias de la industria y promueva el desarrollo de la tecnología de carburo de silicio

- Dec 19, 2018-

Centrarse en las tendencias de la industria y promover el desarrollo de la tecnología de carburo de silicio.

Como la dirección de la tecnología central de los semiconductores de potencia de próxima generación, la principal ventaja de SiC (carburo de silicio) en comparación con los módulos IGBT tradicionales es que la pérdida de conmutación se reduce considerablemente. Mitsubishi Electric comenzó a investigar sobre esta tecnología desde 1994. Después de 24 años, Mitsubishi Electric ha desarrollado con éxito la primera y segunda generación de chips de carburo de silicio y ha logrado la producción en masa. Además, el Dr. Gourab Majumdar dijo: "Mitsubishi Electric está tratando de convertirse a la tercera generación".

¿Por qué el compromiso de Mitsubishi Electric con la I + D y el almacenamiento de productos para la tecnología SiC? Dr.GourabMajumdar hizo una interpretación técnica. En comparación con el silicio monocristalino, el carburo de silicio tiene una alta resistencia a la temperatura (la temperatura máxima del silicio de cristal único es de 170 ° C, mientras que el carburo de silicio puede soportar 200 ° C), bajo consumo de energía (en comparación con el silicio de cristal único, reducido en un 70%) , aplicaciones de alta fiabilidad y otras ventajas. Como un componente de energía con su propia función de ahorro de energía, el carburo de silicio naturalmente tiene ventajas y puede abrir nuevos mercados. Según los informes, la línea de producción de carburo de silicio de 6 pulgadas de Mitsubishi Electric está ubicada en Kumamoto, Kyushu, Japón, y está programada para ser producida en serie en 2019.

En la actualidad, los campos de aplicación de los dispositivos inversores basados en dispositivos de potencia de carburo de silicio se están expandiendo. A pesar del factor de costo, la penetración en el mercado de los dispositivos de potencia de carburo de silicio es muy baja, pero con el avance de la tecnología, el costo del carburo de silicio disminuirá rápidamente, y se convertirá en el producto principal en el mercado de semiconductores de potencia en el futuro.

Para las perspectivas de aplicación de los dispositivos de potencia de carburo de silicio, el Dr. Gourab Majumdar admite: "En la actualidad, el mercado se encuentra en el período de transición del silicio monocristalino al carburo de silicio. Esperamos que este mercado sea más maduro y Mitsubishi Electric también estará en este campo. Más rendimiento, proporcionando productos más abundantes y mejores a los clientes ".


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